Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 4: Harte Schichten II

DS 4.4: Fachvortrag

Montag, 23. März 1998, 16:00–16:15, H 31

Mehrstrahl-Sputterdeposition von TiN zur gezielten Einstellung der Schichttextur — •M. Schafft and H. Oechsner — Technische Physik, Universit"at Kaiserslautern

Die strukturellen Eigenschaften von d"unnen Schichten k"onnen durch kontrollierten Energie- und Impulseintrag w"ahrend des Depositionsprozesses gezielt beeinflu"st werden. F"ur entsprechende Untersuchungen wurde eine Apparatur aufgebaut, in der Ionenb"undel unterschiedlicher Zusammensetzung, Energie und Richtung auf Zerst"aubungstargets und das Substrat gerichtet werden k"onnen. Nach einer Beschreibung der Apparatur mit ihren Manipulationsm"oglichkeiten und der Diskussion der Extraktionscharakteristiken der Ionenstrahlquellen werden am Beispiel von TiN Ergebnisse zum Einflu"s des richtungskontrollierten Energieeintrags auf die Schichttextur dargestellt. Dazu wird im Zweistrahlbetrieb ein Ti-Target mit einem Ar⁺-Strahl von 1 keV beschossen; auf das Substrat trifft ein gemischter Ar⁺-N⁺/N₂⁺-Strahl, dessen Energie von 100 eV bis 800 eV variiert wird. Aus den mittels R"ontgenbeugung aufgenommenen Polfiguren zeigt sich, da"s die (111)-Richtung als Ma"s f"ur die Gesamtorientierung der Schichten mit zunehmender Ionenenergie im Substratstrahl deutlich zu dessen Einfallsrichtung hin gedreht wird. Bei niedriger Substratstrahlenergie wird die Schichtorientierung durch energiereiche Ar-Teilchen beeinflu"st, die am Ti-Target durch Neutralisation und anschlie"sende elastische R"uckstreuung der Beschu"sionen entstehen.