Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 7: Optische Eigenschaften I
DS 7.3: Fachvortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:45–12:00, H 31
Spektralellipsometrie an MOVPE-GaAs mit (InAs/AlAs)
Supergittern (SL) — •H. Schmidt, B. Rheinländer, V. Gottschalch* und G. Wagner* — Fakultät für Physik und
Geowissenschaften Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig und Fakultät für Chemie und Mineralogie, Universität Leipzig*
Mittels Spektralellipsometrie (SE) bei Raumtemperatur wurde an
MOVPE - GaAs Proben mit (InAs1/AlAs15) SL
und (InAs1.5/AlAs15) SL die pseudodielektrische Funktion ⟨ ê ⟩ gemessen.
In einem Bereich von 400 meV unterhalb der direkten Bandlücke von AlAs
Egdir(AlAs)=2.993 eV sind die gemessenen ⟨ ê ⟩ - Spektren im Vergleich zu
solchen Spektren, welche mit den
optischen Konstanten der bulk-Materialien modelliert wurden, stark modifiziert.
Im Vergleich zu Piezoreflexionsmessungen am gleichen Probensystem von Arriaga et al. /1/ und zu eigenen
SE - Messungen an anderen Materialkombinationen ML-Schicht/Einbettungsmaterial (0.5-2 ML InAs/GaAs /2/ und
0.5-1 ML InP/GaP /3/), sehen wir aufgrund von Mehrfachinterferenzen im Transparenzbereich des AlAs keine
Abhängigkeit von der Dicke der
InAs ML - Schichten wie sie in /1/-/3/ beobachtet wurden.
/1/ J. Arriaga et al., PRB 43 (1991) 2050
/2/ R. Rheinländer et al., Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1736
/3/ H. Schmidt et al., demnächst in Thin Solid Films