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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

Monday, March 23, 1998, 16:00–19:30, H13

16:00 HL 10.1 Photolumineszenzuntersuchungen an Si/Si1−xyGexCy Mehrfach-Quantentöpfen — •O. G. Schmidt und K. Eberl
16:15 HL 10.2 Messung und Modellierung der spektralen Empfindlichkeit von Si-Photodioden im Spektralbereich von 120 nm bis 400 nm — •Peter Kuschnerus, Hans Rabus und Mathias Richter
16:30 HL 10.3 Koinzidenzmessungen an Si/SiGe Heterostrukturen — •H.W. Schumacher, A. Nauen, U. Zeitler, P. Weitz, R.J. Haug, A.G.M. Jansen und F. Schäffler
16:45 HL 10.4 Photolumineszenz an verspannungsreduzierten SiGeC-Heterostrukturen — •R. Hartmann, D. Grützmacher, U. Gennser und E. Müller
17:00 HL 10.5 Relaxation von SiGe/Si-Heterostukturen durch H+-Implantation — •R. Liedtke, B. Holländer und S. Mantl
17:15 HL 10.6 Bestimmung von Ge-Gehalt und Relaxation in SiGe Epitaxieschichten — •K.F. Dombrowski, B. Dietrich, P. Zaumseil und J. Kräußlich
17:30 HL 10.7 Thermodonatoren in siliziumreichen SiGe-Kristallen — •M. Franz, P. Gaworzewski, K. Pressel und E. Hild
17:45 HL 10.8 Legierungseffekte in Bor-dotierten Si-reichen SiGe Volumenkristallen — •M. Franz, P. Gaworzewski und K. Pressel
18:00 HL 10.9 Die Bestimmung der minimalen Schichtdicke von Si-Ge-Filmen, die für das Entstehen eines ”Electron Channeling Pattern” notwendig ist — •M. Grimm, R. Butz und D. Guggi
18:15 HL 10.10 Untersuchung der plastischen Relaxation in Si1−xGex/Si Heterostrukturen — •S. Wickenhäuser, L. Vescan, K. Schmidt, B. Holländer und H. Lüth
18:30 HL 10.11 Ellipsometrische Untersuchungen der Interbandübergänge in Si/Ge-MQW’s — •M. Broschwitz, K. Dettmer und J. Schoenes
18:45 HL 10.12 Einfluß von Sauerstoff auf den Gitterplatz und das Lumineszenzverhalten von seltenen Erden in Silizium — •M. Dalmer, U. Vetter, M. Restle, C. Ronning, A. Stötzler, U. Wahl und H. Hofsäss
19:00 HL 10.13 Maßgeschneiderte Germanium-Quantenpunkte durch Nukleation auf C/Si(001) — •O. Leifeld, D. Grützmacher, B. Müller und K. Kern
19:15 HL 10.14 Surfactant modifizierte Heteroepitaxy von Germanium auf
Silizium: Elektrische Charakterisierung
— •M. Kammler, D. Reinking, K.R. Hofmann und M. Horn-von Hoegen
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