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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.53: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Temperatur- und Dichteabh"angigkeit der exzitonischen Eigenenergie in ZnSe — •K. Hauke¹, K. Wundke¹, U. Neukirch¹, J. Gutowski¹, G. Manzke², Q.P. Peng², and K. Henneberger² — ¹Institut f"ur Festk"orperphysik, Universit"at Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen — ²Institut f"ur Physik, Universit"at Rostock, 18051 Rostock

Bisherige theoretische und experimentelle Untersuchungen zeigten, daßdie energetische Lage des Exzitons in Volumenhalbleitern nicht von der Exzitonendichte abh"angt. Unsere Pump&Probe-Experimente an hochwertigen

ZnSe-Heterostrukturen, die sehr kleine Linienbreiten (0.3 meV) bei großer Bindungsenergie (20 meV) des Exzitons aufweisen, zeigen dagegen bei tiefen Temperaturen (2 K) eine eindeutige Blauverschiebung der Eigenenergie. Diese schl"agt ab 30 K in eine Rotverschiebung um. Theoretische Berechnungen ergeben unter Ber"ucksichtigung dynamischer Abschirmung und Ladungstr"ager-Polarisationsstreuung sehr gute "Ubereinstimmung mit dem Experiment.