Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 43: Quantenpunkte III
HL 43.2: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 11:45–12:00, H1
Oberflächenemittierende Laser auf der Basis von selbstorganisierten Quantenpunkten — •N.N. Ledentsov1, D. Bimberg1, J.A. Lott2, V.M. Ustinov3, A.Yu. Egorov3, P.S. Kop’ev3 und Zh.I. Alferov3 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — 2Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, USA — 3A.F. Ioffe-Institute, St. Petersburg, Russia
Oberflächenemittierende Laser mit vertikaler Kavität (VCSEL), deren aktives Gewinnmedium aus einem dreifachen, vertikal gekoppelten Stapel selbst-organisierter InGaAs/GaAs Quantenpunkte besteht, wurden mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt und mit Intrakavitätskontakten und Oxidapertur prozessiert. Schwellenströme von 200 µA wurden für Mesas mit 8 µm Durchmesser bei 293 K gemessen. Dies entspricht einer Schwellenstromdichte von 400 A/cm2. Die Laseremission mit einer Wellenlänge bei 1.0 µm stammt vom Grundzustand der Quantenpunkte. Für Mesas mit 1 µm Durchmesser wurden Schwellenströme von nur 68 µA gemessen. Diese Werte sind mit den besten, auf Quantenfilmen basierenden VCSEL vergleichbar.