Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.105: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Sauerstoffadsorption und Oxidwachstum auf der Ni{111}-Oberfl"ache — •K.-M. Schindler1, Ch. Hagendorf1, H. Wolter1, Ch. Jeckstiess1, G. Paolucci2, A. Baraldi2, S. Lizzit2, and H. Neddermeyer1 — 1Martin-Luther-Univerist"at Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle/Saale, Germany — 2Sincrotrone Trieste, Padriciano 99, I-34012 Trieste, Italy
Die Adsorptionskinetik von Sauerstoff und das Wachstum von NiO auf der Ni{111}-Oberfl"ache wurden mittels schneller und hochaufgel"oster Photoemissionsspektroskopie der O1s Rumpfniveaus verfolgt. Es wurde gefunden, dass die Bildung der p(2×2) Schicht mit der "ublichen Abnahme der Adsorptionsrate mit zunehmender Bedeckung erfolgt. Die Bildung der (√3×√3)R30∘ Schicht erfolgt demgegen"uber mit einer Adsorptionsrate, die ab einer Bedeckung von 0.1 zunimmt. Bei 200∘C beginnt ab einem Sauerstoffangebot von 4*10−6 mbar.s das Oxidwachstum mit einer Wachstumsrate, die etwa 5 mal kleiner ist als die Adsorptionsrate. Bei -20∘C und 400∘C w"achst jeweils kein Oxid. Im ersten Falle handelt es sich vermutlich um kinetische Hinderung, im zweiten Fall ist anzunehmen, dass die Aufnahme des Sauerstoffs in das Volumen des Kristalls schneller ist als das Oxidwachstum.
Die O 1s Emissionslinie des adsorbierten Sauerstoffs ist stark asymmetrisch, was f"ur metallische Systeme charakteristisch ist. Die Emissionslinie von Oxidschichten ist demgegen"uber nahezu symmetrisch, was darauf hinweist, dass die Oxidschicht bereits Isolatoreigenschaften besitzt.