Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.11: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Wachstum von CaF2 auf modifizierten Si-Substraten — •A. Klust, R. Kayser und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover
Für die Herstellung elektronischer Bauelemente werden ultradünne Isolatorschichten benötigt. Im Gegensatz zum heute verwendeten, amorphen SiO2 bietet CaF2 die Möglichkeit, epitaktische Isolatorschichten auf Si(111) Oberflächen herzustellen.
Zur Optimierung des CaF2 Wachstums wurde der Einfluß der Si-CaF2 Grenzfläche auf das Wachstum der Schichten untersucht. Die Morphologie der Schichten wurde mit UHV-Rasterkraftmikroskopie gemessen. Zum einen wurde die Substrattemperatur und damit die Grenzflächenstruktur variiert (Übergang der Grenzflächenstruktur vom CaF2- zum CaF-Typ). Außerdem wurde die Grenzfläche durch Vorbekeimung des Si-Substrates gezielt modifiziert und der Einfluß der Adsorbate auf das CaF2-Wachstum ermittelt.