Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.2: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Wachstumskinetik von Si auf Ge(100): Pyramiden und wie man sie vermeidet — •W. Wulfhekel1,2, B.-J. Hattink1, H.J.W. Zandvliet1, G. Rosenfeld1 und Bene Poelsema1 — 1Faculty of Applied Physics and CMO, University of Twente, P.O.Box 217, NL-7500 AE Enschede — 2Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Wir haben mittels STM das Wachstum von Si auf Ge(100) zwischen 300 und 600K untersucht. Für Bedeckungen unter 1ML wird zweidimensionales Wachstum beobachtet, was jedoch bei höheren Bedeckungen in dreidimensionales Wachstm übergeht. Dies wird auf eine verschwindende Stufenbarriere an Einfachstufen in Kombination mit einer signifikanten Stufenbarriere an Doppelstufen zurückgeführt. Durch Variation der Depositionsparameter während des Wachstums einer jeden Lage kann die Formation von Doppelstufen in dicken Filmen unterdrückt werden und flache Filme bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden. Das entwickelte Verfahren eignet sich auch für die Herstellung von Ge/Si Übergittern bei niedrigen Temperaturen, sodass Interdiffusion der beiden Materialien gegenüber Wachstum bei hohen Temperaturen vermindert werden kann.