Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.31: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Temperaturabhängiger Wachstumsmodus von Pt auf Rh(111) — •Matthias Duisberg, Matthias Dräger und Klaus Wandelt — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie der Universität Bonn, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn

Das Wachstum von Pt auf Rh(111) wurde als Funktion der Substrattemperatur mit Hilfe von AES, UPS, LEED, PAX und Photoemission an adsorbiertem CO charakterisiert. Bei erhöhter Temperatur (700K) wird lagenweises (2D), bei Raumtemperatur (300K) 3D Wachstum beobachtet. Bei tiefen Temperaturen (140K) tritt erneut - analog der Pt/Pt Homoepitaxie - erneut 2D Wachstum auf. Bei der Pt-Deposition bei 700K sind die Pt-Atome dispers verteilt. Ein anfänglicher Einbau der Pt-Atome in die erste Rh-Lage wird angenommen. In UP-Spektren zeigen CO-induzierte Emissionen deutliche Unterschiede in Peaklage, –aufspaltung und –form zwischen der reinen und mit unterschiedlichen Mengen Pt bedeckten Fläche. Dies konnte zur quantitativen Titration von Pt- und Rh-Anteil der ersten monoatomaren Lage bei Depositions- und Temperexperimenten genutzt werden. Interlagen-Massetransport setzt bei 950K ein; oberhalb 1250K ist die erste Lage frei von Pt-Atomen.