Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.4: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Wachstum metastabiler Eisensilizidfilme auf Si(111) — •W. Weiss, R. Bandorf, M. Kutschera, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen

Mittels Solid-Phase-Epitaxy (SPE) auf Silizium (111) Oberflächen abgeschiedene Eisenfilme bilden in Abhängigkeit von der Ausheiltemperatur mehrere (meta)stabile Silizidfilmphasen aus. Insbesondere wird bei Filmdicken bis ca. 10 Monolagen und einer Reaktionstemperatur von T ≤ 300^∘C eine (1x1) Phase beobachtet, die bei weiterem Anlassen zu höheren Temperaturen in eine eisenärmere (2x2) Phase übergeht. Die Elektronenbeugungsbilder beider Strukturen weisen dreizählige Symmetrie auf, was auf eine definierte Stapelorientierung der Filmlagen bezüglich der Substratstapelfolge schließen läßt. Die (1x1) Phase unterscheidet sich jedoch deutlich in Struktur und Stöchiometrie von der (2x2) Phase, wie eine Analyse von Elektronenbeugungsintensitäten und Auger-Peakhöhenverhältnissen zeigt. Durch simultane Koevaporation von Eisen und Silizium können beide Filmstrukturen über einen Dickenbereich stabilisiert werden, der grösser ist als bei alleinigem Eisenangebot und Durchreaktion. Die Qualität der so erzeugten Filme hinsichtlich Homogenität und Ordnungsgrad hängt empfindlich von Prozeßparametern, wie z.B. Fe/Si Abscheidungsverhältnis, Depositionstemperatur und Dicke etwaig verwendeter Keimschichten ab. Gefördert durch die DFG (SFB 292).