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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.44: Poster

Monday, March 23, 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Grenzflächenphononen einer epitaktischen Antimon-Monolage auf GaP(110): Eine Untersuchung mit inelastischer He-Streuung — •Henrik Tröger, Wolfgang Theis und Karl Heinz Rieder — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin

Adsorption von Antimon auf III-V-(110)-Halbleiteroberflächen führt zu einem einlagigen (i.e. 2 Sb-Atome pro Einheitszelle) Film, der eine stabile, geordnete (1x1)-Adsorbatstruktur bildet, die auf GaAs, InP, InAs und GaP im wesentlichen der Fortsetzung der (ungestörten) bulk-Struktur entspricht (epitaxial continued layer structure, ECLS). Diese schwerere, abgesättigte Adsorbatlage läßt gegenüber der reinen Oberfläche im dynamischen Verhalten - bei vergleichbarer Zick-Zack-Ketten-Struktur - ein energetisches Absenken der Oberflächenphononen-Moden erwarten.

Wir haben Struktur und Dynamik am System GaP(110)-p(1x1)Sb mit niederenergetischer He-Atom-Streuung untersucht. Die Antimon-Überstruktur wurde dabei mit He-Beugung charakterisiert, sowie Grenzflächenphononen entlang der Hochsymmetrierichtungen über die gesamte Oberflächen-Brillouinzone in Flugzeitexperimenten vermessen. Neben einem Absenken der akustischen Äste im Vergleich zur reinen GaP(110) beobachten wir einen praktisch dispersionslosen optischen Zweig bei etwa 10meV.