Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.52: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Untersuchung der Adsorption von Methanol auf Si(111)-(7x7) mittels Photoemission und STM — •M. Hasselblatt¹, M.N. Piancastelli¹, J.J. Paggel², Ch. Weindel² und K. Horn¹ — ¹Fritz-Haber-Institut der MPG, 14195 Berlin — ²Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg, 35032 Marburg

Die Bildung der Methoxid-Spezies auf Si(111)-(7 x 7) nach Adsorption von Methanol wurde mittels Rumpf- und Valenzniveau-Photoemission sowie STM untersucht. Im Valenzbandbereich führt diese Spezies zur Auslöschung des Oberflächenzustandes, welcher aus STM-Untersuchungen dem sogenannten Restatom zugeordnet wird, während der Oberflächenzustand am Adatom nicht beeinträchtigt wird. Im Bereich des Si 2p-Spektrums wird parallel dazu die Oberflächen-Rumpfniveau-Komponente bei niedrigster Bindungsenergie reduziert. Daraus schließen wir, daß diese Linie, deren Zuordnung lange kontrovers diskutiert wurde, dem Restatom zugeordnet werden muß, in Übereinstimmung mit dem auch durch Rechnungen unterstützten Ladungstransfer vom Adatom zum Restatom im Gefolge der Rekonstruktion. Diese selektive Adsorption zeigt sich auch in STM-Bildern der mit Methoxid belegten Si(111)-(7 x 7)-Oberfläche. Die Bildung einer Si-O-Bindung durch die Methoxid-Spezies induziert weitere deutliche Änderungen im Si 2p Spektrum, welche im Rahmen von Ladungstransferabschätzungen interpretiert werden.