Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.6: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Surface Stress Induced Optical Deflection (SSIOD): In-situ Messung von Oberflächenspannung beim epitaktischen Wachstum — •P. Zahl und M. Horn-von Hoegen — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover

Oberflächenspannungen, wie durch Rekonstruktion, Adsorbate oder heteroepitaktisches Schichtwachstum bedingt, haben einen entscheidenen Einfluß auf die Oberflächenmorphologie. So wachsen z.B. dünnste Ge-Schichten auf Si nicht Lage-für-Lage auf, sondern rauhen auf atomarer Skala stark auf, um so elastisch Verspannungsenergie abzubauen. Die Oberflächenspannung wird in diesem Experiment über die Verbiegung dünnster Si Proben gemessen, wobei noch Krümmungsradien von 10km nachgewiesen werden können. Damit liegt die Nachweisgrenze im Submonolagenbereich von Adsorbaten. Durch Verwendung einer differenziellen Lichtzeigeranordnung lassen sich externe Störungen, wie Temperaturdrift und mechanische Schwingungen, kompensieren. Erste experimentelle Ergebnisse zur Gitteranpassung bei der Surfactant modifizierten Epitaxie von Ge auf Si werden vorgestellt.