Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 16: Epitaxie und Wachstum (II)

O 16.7: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 12:45–13:00, H44

Oberflächendiffusion und Schichtwachstum von Cu auf Mo{110} — •O. Borusik¹, M. Snabl², V. Chab², W. Stenzel¹, H. Conrad¹ und A.M. Bradshaw¹ — ¹Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin — ²Inst. of Physics, Acad. of Science, Cukrovarnická 10, 162 00 Praha 6, Czech Republic

Die Diffusion von Cu auf Mo{110} wurde als Funktion von Temperatur und Bedeckung (bis 2ML) mittels Photoemissions-Elektronenmikroskopie (PEEM) untersucht. Hierzu wird bei ∼300 K über eine Maske ein ∼200 µm breiter Cu-Streifen variabler Konzentration aufgedampft. Nach Heizen auf ∼750 K findet in dem zunächst homogenen Streifen eine Dekoration der Substratstufen statt. Die Breite der Dekorationslinien erhöht sich mit anfänglichem Bedeckungsgrad auf Kosten der Zwischenräume, so daß von einer Separation in eine dichte (Dekoration) und eine verdünnte (Zwischenräume) Phase gesprochen werden kann. Erst ab ∼950 K läßt sich Diffusion in das Außengebiet nachweisen, wobei der bedeckte Streifen nur schmaler wird, ohne daß sich seine interne Strukturierung verändert. Im Außenbereich ist keine Cu-Konzentrationszunahme erkennbar, d.h. die Cu-Atome verteilen sich gleichmäßig auf dem Substrat. Die Begrenzung bleibt aber als scharfe Kante in ursprünglicher Streifenrichtung erhalten. Bei einer Anfangsbedeckung über 1 ML verbreitet sich zunächst der Streifen (∼650 K), bis ein interner Bedeckunsgrad von 1 ML erreicht ist. Erst danach erfolgt ab ∼950 K wieder die Breitenreduktion.