Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.18: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 18:45–19:00, H44

Wachstum von C₅₉N auf Schichtgittermaterialien — •Ch. Sommerhalter¹, B. Pietzak¹, K. Diesner¹, B. Nuber², U. Reuther² und A. Hirsch² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin — ²Institut für Organische Chemie, Henkestraße 42, D-91054 Erlangen

Das Wachstum des Heterofullerens C₅₉N auf den Schichtgittermaterialien HOPG, WSe₂ und Glimmer bei 25^∘C, 100^∘C und 200^∘C wurde mittels UHV-AFM untersucht. Im Falle von HOPG und WSe₂ ist auf ausgedehnten Terassenflächen eine große Diffusionslänge zu beobachten, wobei sich dendritische Inseln bilden, was auf eine reduzierte Beweglichkeit am Rande der Inseln schließen läßt. In Bereichen mit hoher Stufendichte findet die Nukleation bevorzugt an den Stufen statt, wobei diese nicht dekoriert werden. Bei Substrattemperaturen von 100^∘C lassen sich ausgeprägte fraktale Strukturen beobachten. Beim Wachstum der zweiten Monolage ist die Beweglichkeit erheblich reduziert, so daß sich nahezu unabhängig von der Substrattemperatur auf den 1-3µ m großen Inseln sehr viel kleine Keime mit einem Abstand von nur 50 nm bilden. Im Gegensatz zu C₆₀ liegt also kein Flächenwachstum vor und die Inseln weisen keine Facettierung auf. Auf Glimmer bilden sich auch bei 200^∘C viele Inseln in einem Abstand von 50-100 nm, was darauf hinweist, daß hier die Substratwechselwirkung stark erhöht ist. Röntgendiffraktion an 300 nm dicken Filmen auf Glimmer ergaben eine ausgeprägte Texturierung mit einem Wachstum in (002) Richtung des hexagonalen Gitters.