Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.9: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 16:30–16:45, H44

Charakterisierung ultradünner Kupfer–Filme auf Ni(111) mittels CO–Titration und XPS — •G. Held, H. Koschel, W. Sklarek, M. Mayan und H.–P. Steinrück — Exp. Physik II, Univ. Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Das Wachstum dünner Kupfer–Filme auf Ni(111) im Bedeckungsbereich zwischen 0 und 10 Monolagen wurde untersucht mittels CO–Adsorption in Verbindung mit hochauflösender Photoelektronenspektroskopie (O 1s, Cu 2p_3/2). Nach Aufbringen der entsprechenden Cu–Menge unter verschiedenen Präparationsbedingungen wurde die Oberfläche bei 80 K mit CO gesättigt, was zur Adsorption sowohl auf den Cu–bedeckten als auch den unbedeckten Ni(111) Flächen führt. Erwärmen der Probe auf 220 K führt zur CO–Desorption von den Cu–bedeckten Flächen, nicht aber von den Ni–Flächen. Durch Vergleich der O 1s XPS–Intensitäten nach Adsorption bei 80 K und Erwärmen auf 220 K kann der Benetzungsgrad der Oberfläche mit Cu bestimmt werden. Die detailliertere Untersuchung der O 1s und Cu 2p_3/2–Spektren erlaubt eine quantitative Bestimmung der CO Adsorptionsplätze auf den Ni (ontop, Brücke) und Cu–Flächen (ontop). Mit steigender Bedeckung nimmt die Zahl der auf Brückenplätzen adsorbierten CO–Molekülen auf Ni(111) schneller ab als die der Moleküle auf ontop–Plätzen. Daraus schließen wir auf das Entstehen vieler kleiner Cu–Inseln, an deren Rändern die Adsorption von CO auf Brücken–Plätzen blockiert ist.
Gefördert durch die DFG unter Ste 620/2–1.