Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 31: Nanostrukturen

O 31.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:00–17:15, H36

Erzeugung von Ge-Nanostrukturen auf Si-Oberflächen mit dem Tunnelmikroskop — •Ulrich Schöffel, Hubert Rauscher und Rolf Jürgen Behm — Universität Ulm, Oberflächenchemie und Katalyse, 89069 Ulm

Germanium-Nanostrukturen mit lateralen Abmessungen von wenigen Nanometern wurden auf Silicium-Oberflächen durch tunnelmikroskop-induzierte Zersetzung (STM-CVD) des Moleküls GeH₄ hergestellt. Die GeH₄-Moleküle werden dabei in der Tunnellücke zwischen der Spitze und der Oberfläche durch Wechselwirkung mit dem elektrischen Feld und/oder mit freien Elektronen, die aus der Spitze emittiert werden, aktiviert. Diese im Vergleich zum GeH₄-Molekül hochreaktiven Spezies akkumulieren sich direkt unterhalb der Tunnelspitze und bauen die Nanostruktur auf. Kontinuierliche Nanostrukturen können durch Bewegen der Spitze während der Abscheidung erzeugt werden. Der Abscheidemechanismus bei der GeH₄-STM-CVD wird auf der Grundlage der Abhängigkeit der Depositionsmenge von den Tunnelparametern diskutiert und mit früheren Ergebnissen zur STM-CVD, die unter Verwendung des Precursor-Moleküls SiH₄ erzielt wurden, verglichen.