Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 31: Nanostrukturen

O 31.5: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:15–17:30, H36

Experimentelle und theoretische Untersuchung der Morphologie von GaAs(112)–Oberfl"achen. — •L. Geelhaar¹, J. Platen¹, C. Setzer¹, A. Kley¹, P. Ruggerone¹, M. Scheffler¹, C. Meyne², W. Richter², and K. Jacobi¹ — ¹Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4–6,14195 Berlin — ²Institut f"ur Festk"orperphysik der TU Berlin, Hardenbergstra"se 36, 10623 Berlin

Hochindizierte GaAs-Oberfl"achen haben als Substrate von niederdimensionalen Quantenstrukturen Interesse erlangt. Wir haben die A- und B-Seiten der GaAs(112)-Oberfl"ache mit MBE pr"apariert und mit LEED, AFM, REM und Oberfl"achenrumpfniveau-Photoemission untersucht. Beide Fl"achen sind nicht stabil, sondern facettieren, allerdings leicht unterschiedlich: Die A-Seite zeigt (111)-, (110)- und (124)-Facetten, die B-Seite (111)-, (113)- und (110)-Facetten. F"ur beide Fl"achen wurden Gesamtenergierechnungen unter Verwendung der DFT-LDA-Theorie durchgef"uhrt. Von niedrigster Energie erweisen sich dachartige Strukturen aus (111)- und (113)-Ebenen f"ur die (112)A-Fl"ache. Die (112)B-Fl"ache zerf"allt bei As-reichen Bedingungen in eine Dachstruktur mit (111)- und (113)-Grenzfl"achen und (110)-Grenzfl"achen bei Ga-reichen Bedingungen. Es wird vermutet, daß die geringf"ugigen Unterschiede zum Experiment auf Kristallbaufehler an der Oberfl"ache zur"uckzuf"uhren sind.