Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 33: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen (II)
O 33.1: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 16:15–16:30, H44
Stöchiometrie und Struktur polarer Oberflächen von AlN und GAN — •J. Fritsch1,2, O.F. Sankey2, K.E. Schmidt2, and J.P. Page2 — 1Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — 2Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1504, USA
Mit Hilfe eines auf der Dichtefunktionaltheorie beruhenden LCAO-Formalismus werden die strukturellen und elektronischen Eigenschaften der anion- und kation-terminierten (0001) Oberflächen von GaN und AlN berechnet. Wir vergleichen die Gesamtenergien einer Vielzahl unterschiedlicher (2×2)-Rekonstruktionen. Alle stabilen Konfigurationen unterscheiden sich in ihrer Periodizität und atomaren Komposition von der idealen Oberflächenstruktur. In einem weiten Bereich des chemischen Potentials der Gruppe-III-Atome stellen sich Oberflächengeometrien mit einer Fehlstelle in der ersten Atomlage als die energetisch günstigsten Rekonstruktionen heraus. Unter metallreichen Wachstumsbedingungen führt die Bedeckung der anion- und kation-terminierten (0001) Oberflächen mit Gruppe-III-Atomen zu energetisch bevorzugten Strukturen. Für eine Reihe unterschiedlicher Reaktionspfade untersuchen wir Mechanismen, die zur Dissoziation und Adsorption von Ammoniak an GaN(0001) führen.