Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen (II)

O 33.11: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:45–19:00, H44

Rastertunnelmikroskopie der mikroskopischen und makroskopischen Topologie der GaAs (110)- Spaltfl"ache beim Spr"odbruch — •K. Sauthoff, M. Wenderoth, M.A. Rosentreter, and R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Universit"at G"ottingen, Bunsenstr.13, D-37073 G"ottingen

Die Oberfl"achenkonfigurationen auf frisch gespaltenen GaAs (110) - Oberfl"achen (Probendicke 300 µ m) wurden auf L"angenskalen von 0.1nm bis 1 µ m "uber vier Gr"oßenordnungen mit dem Rastertunnelmikroskop im UHV untersucht. Zus"atzlich wurden die Spaltfl"achen an Luft mit einem Lichtmikroskop auf makroskopischer Skala charakterisiert. Dabei finden wir, daß die Spaltfl"achen im optisch zug"anglichen Bereich charakteristische Linienmuster aufweisen, die durch den Spaltvorgang verursacht werden. Auf der mikroskopischen Ebene stellen wir im Einklang damit eine systematische Abfolge der Stufenkonfigurationen fest: In der Probenmitte (Abstand 150 µ m zum Rand) findet man hohe Stufen mit dazwischenliegenden atomar glatten Bereichen, n"ahert man sich der Kante, an der die Kerbe zur Initiierung des Bruches angebracht wurde, so nimmt die Stufendichte von monoatomaren Stufen zu, die Terrassenbreite nimmt von 200nm bis auf 1-2nm ab. Die Verteilungen der Terrassenbreiten weisen h"aufig einen Vorzugswert auf. Die experimentellen Ergebnisse interpretieren wir im Modell einer dynamischen nichtlinearen Instabilit"at bei der Propagation der Spaltfront.
Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gef"rdert.