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O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.13: Poster
Thursday, March 26, 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Quanten-Monte-Carlo-Rechnungen zur GaAs (110)-Oberfl"ache — •R. Bahnsen1, H. Eckstein1, W. Schattke1, M. Reigrotzki2, and R. Redmer2 — 1Institut f"ur Theoretische Physik und Astrophysik, Christian-Albrechts-Universit"at Kiel, Leibnizstr. 15, 24098 Kiel — 2Fachbereich Physik, Universit"at Rostock, Universit"atsplatz 3, 18051 Rostock
Quanten-Monte-Carlo - Simulationen bieten einen direkten Zugang zur Vielteilchentheorie f"ur reale Substanzen. Nachdem die Methode sich bei Atomen und Festk"orpern aus mittelschweren Elementen unter Verwendung nichtlokaler ab-initio - Pseudopotentiale bew"ahrt hat, wurde sie am Beispiel der (110)-Oberfl"ache von GaAs auf Halbleiteroberfl"achen erweitert. Als Geometrie dient eine d"unne Schicht. Der Ansatz f"ur die Wellenfunktion ist vom Slater-Jastrow-Typ, die Einteilchenwellenfunktionen sind parametrisierte LCAO-Orbitale. Erste Ergebnisse zu einem vorgegebenen Oberfl"achenmodell werden vorgestellt.
[1] H. Eckstein, W. Schattke, M. Reigrotzki und R. Redmer
Phys. Rev. B 54, 5512 (1996)