Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.30: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Lebensdauern elektronischer Oberflächenzustände in physisorbierten Adsorbatsystemen — •G. Moos, A. Hotzel, K. Ishioka, E. Knoesel, M. Wolf und G. Ertl — Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin
Bindungsenergien und Lebensdauern elektronischer Oberflächenzustände auf der O2/Xe- und Xe-bedeckten Cu(111)- Oberfläche wurden mit zeitaufgelöster Zwei-Photonen-Photoemission (2PPE) untersucht. Der Anstieg der Lebensdauern auf Xe/Cu(111) mit der Zahl der Xe-Lagen kann durch ein modifiziertes Bildladungspotential, bei dem Xe als klassisches Dielektrikum behandelt wird, reproduziert werden. Im Fall von O2/Xe/Cu(111) werden die 2PPE-Spektren von einem unbesetzten Zustand bei E-EF=4.0 eV dominiert. Im Gegensatz zum System Xe/Cu(111) nimmt die Lebensdauer dieses Zustands mit wachsender Zahl der Xe-Zwischenschichten deutlich ab (von 650±30 fs bei einer Xe-Zwischenschicht auf ca. 90±10 fs bei 5 Xe-Lagen). Ein Modell, das auf der Kopplung eines Bildladungszustandes mit einer negativen Ionenresonanz des O2 beruht, kann diesen Trend semiquantitativ reproduzieren.