Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.35: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Feldunterstützte Multiphotonen-Photoemission bei Rastertunnelmikroskopie an Halbleiter-Oberflächen mit Femtosekunden-Laseranregung — •A. Thon, V. Gerstner, A. Knoll, J. Lehmann, M. Merschdorf, W. Pfeiffer und G. Gerber — Institut für Experimentelle Physik I, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Bei der direkten Beleuchtung des Tunnelkontaktes mit ultrakurzen Laserpulsen eines nachverstärkten fs-Titan-Saphir-Lasersystems (300 kHz, 800 nm, 70 fs, 2 µJ) wurden auf GaAs(110)- und GaP(110)-Spaltflächen über Multiphotonen-Prozesse erzeugte Photoelektronen nachgewiesen. Durch I(z)- und I(U)-Spektroskopie unter UHV-Bedingungen konnte klar zwischen dem Anteil der Tunnelelektronen und der emittierten Photoelektronen unterschieden werden. Die Intensitätsabhängigkeit des Photoelektronenstromes bei unterschiedlichen Tunnelspannungen zeigt, daß die lokalen Felder die effektive Austrittsarbeit für die Photoelektronenemission bestimmen. Dies erlaubt Rückschlüsse auf den Verlauf der Tunnelbarriere während der Beleuchtung mit einem hochintensiven ultrakurzen Laserpuls.