Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.88: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Nanostrukturierung von ultra-dünnen Ag-Schichten auf Si — •M. Riehl-Chudoba1, V.A. Gasparov2 und Wo. Richter1 — 1Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena — 2Institute of Solid State Physics RAS, 142432 Chernogolovka, Russia
Die Erzeugung mesoskopischer Strukturen mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops wird an wenige Lagen dicken Ag-Schichten (1 - 3 ML) auf Si demonstriert. Durch Spannungspulse bei negativer Substratpolarität werden Atome von der Oberfläche extrahiert. Auf diese Weise können Löcher mit einer lateralen Ausdehnung von ≤ 10 nm erzeugt werden. Bei umgekehrter Polung werden vorwiegend Erhöhungen auf der Oberfläche festgestellt, die von dem Transfer von auf der Spitze angesammelten Ag Atomen herrühren. Der Atomtransfer wurde am Beispiel einer Si(111)-Ag(√3 ×√3)R30∘ Oberfläche systematisch für verschiedene Spannungen und Tunnelabstände z untersucht. Der Spannungsschwellwert zeigt eine lineare Abhängigkeit von z und sinkt für den kleinsten gewählten Spitzenabstand unter 2 V. Dieses Ergebnis sowie die Morphologie der erzeugten Strukturen deuten auf einen Feldverdampfungsprozess hin. Die Lochtiefe korreliert mit der Höhe der √3Ag/Si Doppelschicht (3.1 Å). Für Spannungspulse, die leicht oberhalb des Schwellwertes liegen, können auch selektiv Ag Atome aus der obersten Lage entfernt werden. Durch laterale Bewegung der Spitze können beliebige Strukturen geschrieben werden.