Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.9: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

k^→−AUFGELÖSTE INVERSE PHOTOEMISSIONSMESSUNGEN AN 6H-SiC(0001) OBERFLÄCHEN — •C. Benesch, M. Fartmann und H. Merz — Universität Münster

Siliziumkarbid (SiC) ist in den letzten Jahren aufgrund seiner großen Bandlücke zu einem sehr interessanten Halbleitermaterial für z.B. hochtemperatur- und spannungsfeste elektronische Bauteile geworden. Wir untersuchen in diesem Zusammenhang die Struktur der Leitungsbänder von Silizium-terminierten 6H-SiC(0001) Oberflächen. Unsere Probe ist ein p-dotierter Wafer der Firma Cree.
Es wurden vier verschiedene 6H-SiC(0001) Oberflächen erfolgreich durch Heizen im Silizium-Strahl präpariert. Die vier Rekonstruktionen (1×1, 3×3, √3×√3R30 und 6√3×6√3R30) konnten mittels LEED eindeutig identifiziert werden, und sie zeigten in AES-Messungen charakteristische Peakverhältnisse von Silizium zu Kohlenstoff.
Die erstmals an diesen Oberflächen aufgenommenen IPE-Spektren zeigen Volumen- und Oberflächenstrukturen, welche sich durch Kontaminationsabhängigkeit und ihre Lage im Energie-Gap unterscheiden. Die experimentell bestimmten Bandstrukturen werden mit ab initio Rechnungen der Volumen- und Oberflächenbandstruktur [1] verglichen.

[1] J. Pollmann, P. Krüger, M. Sabisch; phys. stat. sol.(b) 202, 421 (1997)