Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.90: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Lateralstrukturierung von Mo/Si–Multischichtsystemen mittels reaktivem Ionenätzen (RIE) — •L. Dreeskornfeld1, Z. Le2, S. Rahn1, R. Segler1, U. Kleineberg1 und U. Heinzmann1 — 1Molekül– und Oberflächenphysik, Universität Bielefeld, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld — 2Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics, Changchun 130022, P. R. China
In einer Anlage für reaktives Ionenätzen (RIE) werden unter Verwendung von Fluorchemie (CF4, CHF3) Lateralstrukturen in Mo/Si–Multischichtsysteme (typ. 30 Perioden à 7 nm Periodendicke) übertragen. Solche Multischichtsysteme eignen sich als hochreflektierende Coatings für weiche Röntgenstrahlung.
„Lines and Spaces“ mit Strukturgrößen bis hinab zu 0.5 µ m wurden in Röntgenresist (AZ–PF 514) bei BESSY mittels Röntgenlithographie erzeugt.* Die Optimierung der Ätzprozeßparameter wie Gaszusammensetzung und HF– Leistung erfolgt in Hinblick auf eine strukturgetreue Übertragung der Resiststrukturen in die Multischichtsysteme. Hierzu werden z.B. die horizontalen und vertikalen Ätzanteile unter dem Einfluß verschiedener Prozeßparameter untersucht. Zur Analyse werden AFM, SEM und TEM eingesetzt.
* Für die röntgenlithographische Belichtung danken wir Herrn Dr. M. Schmidt, IMM (Mainz).