Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.92: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Der Einfluß von Sekundärelektronen in der Nahsondenlithographie — •B. Völkel, H.U. Müller, A. Eisele, C. David, A. Gölzhäuser und M. Grunze — Angewandte Physikalische Chemie, Universität Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg

Sekundärelektronen, die im elektrischen Feld zwischen Spitze und Probe gespiegelt werden, limitieren die Auflösung in der Nahsondenlithographie. Für einen ultradünnen (2 nm) Resist auf der Basis von selbstorganisierenden Monolagen (SAM) wurde die Sekundärelektronenausbeute und deren Energieverteilung als Funktion der Primärenergie gemessen. Der einfallende Strahl erzeugt auf der Probenoberfläche zwei Arten von Sekundärelektronen: elastisch zurückgestreute Primärelektronen und ’echte Sekundärelektronen’, die im Resist/Substrat System erzeugt werden. Die Untersuchung des Belichtungsprozesses mittels Röntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS) zeigte, das bereits Elektronenenergien von 10 eV zur Schädigung des SAM Resists ausreichen. Simulationen der Elektronentrajektorien zeigen, daß alle aus der Probe austretenden Sekundärelektronen im Feld zwischen Nahsonde und Probe so abgelenkt werden, daß sie erneut auf die Probe treffen und dort zur Belichtung beitragen. Das Auftreten von Satellitenstrukturen, die unter bestimmten Bedingungen bei der Lithographie mit Nahsonden beobachtet werden, kann dadurch erklärt werden.