Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.96: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

STM-induzierte H-Desorption zur Herstellung von nm-Strukturen auf nasschemisch präparierten H/Si(111)1x1-Oberflächen — •L. Placke, M. Gruyters, R. Berndt und G. Güntherodt — 2.Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Eine Möglichkeit der nm-Strukturierung auf Wasserstoff-passivierten Siliziumoberflächen besteht in der lokalen Desorption des Wasserstoffs mit Hilfe des Rastertunnelmikroskops (STM) [1]. Diese Methode ermöglicht bei niedrigen Spitzenspannungen, gezielt einzelne Wasserstoffatome von der Substratoberfläche zu entfernen. Unter UHV-Bedingungen können die passivierten von den depassivierten Bereichen aufgrund der stark voneinander abweichenden elektronischen Eigenschaften mit dem STM deutlich unterschieden werden. Im vorliegenden Beitrag wird die Strukturierung nasschemisch präparierter H/Si(111)1x1 Substrate hoher Oberflächengüte vorgestellt. Die an den in-situ präparierten Si(100)-Oberflächen gefundenen H-Desorptionsmechanismen[1] werden von uns für die nasschemisch präparierten Si(111)-Substrate diskutiert. An dem von uns verwendeten hochohmigen Silizium (60 Ω cm) werden im Feldemissionsmodus Strukturen mit Abmessungen von weniger als 10nm erreicht.

[1] Ph. Avouris, R. E. Walkup, A. R. Rossi, H. C. Akapti, P. Nordlander, T. C. Shen, G. C. Adeln, J. W. Lyding, Surf. Sci. 363 (1996) 368