Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (IV)

O 38.2: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:30–11:45, H37

Dephasierung von Bildpotentialelektronen auf Cu(100) durch CO Adsorption — •Ch. Reuß¹, M. Kutschera¹, I. L. Shumay¹, U. Thomann¹, M. Weinelt¹, U. Höfer² und Th. Fauster¹ — ¹Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7, D-91058 Erlangen — ²Max-Planck-Institut für Quantenoptik, Hans-Kopfermann-Straße 1, D-85740 Garching

Mit Hilfe der zeitaufgelösten Zweiphotonenphotoemission (2PPE) beobachten wir die Dynamik des Zerfalls von Bildpotentialelektronen.

Der zeitliche Abfall der 2PPE-Intensität wird nur durch die Besetzung des Zustandes bestimmt, die durch inelastische Streuprozesse vermindert wird. Zur spektralen Breite tragen zusätzlich noch elastische Streuprozesse z. B. an Phononen und Defekten bei, die zu einer Relaxation der Phase des Elektronenwellenpaketes führen (Dephasierung). Durch zeit- und energieaufgelöste Messungen gelingt somit die Trennung von Energie- und Phasenrelaxation. Wir adsorbierten CO auf Cu(100) bei 90 K um einerseits den Einfluß von Defekten (d. h. Störungen der Ordnung der Oberfläche) auf die Dephasierung zu untersuchen. Andererseits bildet CO auf Cu(100) mit wachsender Exposition geordnete Überstrukturen (c(2×2) und bei Sättigungsbedeckung c(7√2×√2)R45^∘). Ein Vergleich mit LEED-Spotprofilen zeigt eine eindeutige Korrelation zwischen der Ordnung der Oberfläche und der Dephasierung der Bildpotentialelektronen.