Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 4: Oxide und Isolatoren / Phasenüberg
änge

O 4.3: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 11:45–12:00, H37

Phasenübergang auf α-Ga(010) — •Ph. Hofmann¹, Y. Q. Cai¹, Ch. Grütter² und J. H. Bilgram² — ¹Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195, Berlin-Dahlem, Germany. — ²Laboratorium für Festkörperphysik, Eidgenössische Techni-sche Hochschule, CH-8093 Zürich, Switzerland

Bei Kühlung unter 210 K ändert sich das LEED Beugungsbild der α-Ga(010) Oberfläche von einer (1x1) zu einer c(2x2) Symmetrie. Dieser Phasenübergang wird von der Öffnung einer Bandlücke in der elektronischen Struktur der Oberfläche und vom Auftreten eines neuen elektronischen Zustands am C Punkt der Oberflächen-Brillouinzone begleitet. Der Übergang scheint durch eine lokale Bindungsumlagerung verursacht zu werden und nicht durch eine Instabilität in der Fermifläche. Die Stärke der Elektronen-Phononenkopplung auf α-Ga(010) wurde durch die Temperaturabhängigkeit der Lebensdauer des Oberflächenzustandes bestimmt. Der Massenanstiegsparameter hat einen Wert von λ = 1.4 und ist damit wesentlich größer als im Volumen von α-Gallium.