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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (I)
O 8.2: Talk
Monday, March 23, 1998, 16:30–16:45, H36
Atomare Struktur von Grenzschicht und Oberfläche ultradünner CoSi2-Filme auf Si(111) — •A. Seubert, J. Schardt, W. Weiss, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen- Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen
Durch simultanes Abscheiden von Kobalt und Silizium und anschließende
thermische Aktivierung wurden CoSi2-Filme von etwa 6 Å Dicke
auf Si(111) aufgedampft. Je nach Wahl der Präparationsparameter lassen
sich zwei stöchiometrisch verschiedene Oberflächenphasen herstellen,
welche als kobalt- bzw. siliziumreiche Terminierung bezeichnet werden. Ziel
unserer Untersuchungen war die Bestimmung von Oberflächenstruktur,
Schichtdicke und Orientierung des CoSi2-Films bezüglich des Silizium-
Substrats sowie die Ermittlung der Koordinationszahl der Kobaltatome an der
Grenzschicht. Eine detaillierte Strukturanalyse mittels Beugung langsamer
Elektronen zeigte, daß beide Phasen auf der CaF2-Struktur basieren,
wobei sich die siliziumreiche Terminierung durch eine zusätzliche Silizium-
Bilage von der kobaltreichen Phase unterscheidet, welche ihrerseits von einer
vollständigen CoSi2-Trilage terminiert ist. Die CoSi2-Filme
bevorzugen eine als B-Typ bezeichnete Wachstumsrichtung, d.h. die Atomlagen
des Silizid-Films sind gegenüber jenen des Si-Substrats um 60∘
verdreht. Darüberhinaus konnte gezeigt werden, daß die kobaltreiche
Phase Domänen verschiedener Schichtdicke ausbildet und die Kobaltatome an
der Grenzfläche achtfach koordiniert sind.
Gefördert durch die DFG (SFB 292)