Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

Montag, 23. März 1998, 16:15–19:15, H36

	16:15	O 8.1	Selbstorganisation des Wachstums von GaAs Quantendrähten in V-förmigen Gräben — •F. Große, R. Zimmermann, A. Kley und M. Scheffler
	16:30	O 8.2	Atomare Struktur von Grenzschicht und Oberfläche ultradünner CoSi2-Filme auf Si(111) — •A. Seubert, J. Schardt, W. Weiss, U. Starke und K. Heinz
	16:45	O 8.3	Zeitaufgelöste Hochtemperatur STM-Untersuchung der Bildung und Phasenumwandlung von Eisensilizid auf Si(111) — •V. Dorna, P. Kohstall und U. Köhler
	17:00	O 8.4	Growth and Chemical Imaging of CaF2 on Vicinal Si(111)7x7 — •J. Viernow, J.L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.K. Men, J. Wollsch"ager, M. Henzler, and F.J. Himpsel
	17:15	O 8.5	Modifizierung von CaF2-Schichten auf Si(111) durch elektronenstimulierte Fluor-Desorption — •J. Falta, T. Schmidt, A. Hille, A. Klust, J. Viernow und J. Wollschläger
	17:30	O 8.6	Reaktion von Disilan mit Si(111) und Vorstufen des CVD-Wachstums — •Jürgen Braun, Hubert Rauscher und Rolf Jürgen Behm
	17:45	O 8.7	Untersuchungen zur aktiven und passiven Oxidation von Si(111) im Rastertunnelmikroskop — •Stefan Hildebrandt, Ralf Kulla, and Henning Neddermeyer
	18:00	O 8.8	Energetik und Kinetik von Si Dimeren auf Ge(100) — •W. Wulfhekel, B.-J. Hattink, H.J.W. Zandvliet, G. Rosenfeld und Bene Poelsema
	18:15	O 8.9	Wachstumsuntersuchungen an Ge/Sb/Si(100) — •K. Hinrichs, S. Peters, N. Esser, W. Richter, and J.R. Power
	18:30	O 8.10	Grenzflächenrauhigkeit von Ge1−yCy/Si-Übergittern auf Si(001) — •P. Sonntag, J. Falta, T. Schmidt, A. Hille, K. Brunner und K. Eberl
	18:45	O 8.11	Morphologie epitaktischer HgTe(001)-Schichten — •M. Schneider, S. Oehling, H. Neureiter, M. Sokolowski, C.R. Becker, G. Landwehr und E. Umbach
	19:00	O 8.12	Van der Waals-Epitaxie dünner Indiumselenidschichten - Nukleation, Wachstum und elektronische Eigenschaften — •E. Schaar-Gabriel, O. Lang, C. Pettenkofer und W. Jaegermann