Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.9: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:15–18:30, H36

Wachstumsuntersuchungen an Ge/Sb/Si(100) — •K. Hinrichs¹, S. Peters¹, N. Esser¹, W. Richter¹, and J.R. Power² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Surface Science Research centre, University of Liverpool, Liverpool L69 3 BX, United Kingdom

Der Wachstumsmodus von Ge auf Si(100) kann durch Surfactants (z.B. As, Sb oder Bi) beeinflu"st werden. Es wird das Wachstum von Ge auf reinem und Sb terminiertem Si(100) (400 ^∘C Substrattemperatur) untersucht. Aus Raman- und Ellipsometriemessungen wird ein Surfactant-unterstütztes 2-dimensionales Wachstum bis zu mindestens 20 Monolagen (ML) Ge geschlossen, während beim Wachstum ohne Surfactant eine kritische Schichtdicke von 5 ML gefunden wird. Eine Ge-Si Schwingung bei 400 cm⁻¹, deren Intensität ein Ma"s für die Durchmischung an der Grenzfläche ist, wird nicht beobachtet. Dagegen wird aber ein Sb-Si Grenzflächenphonon bei 131 cm⁻¹ auf unverkippten und auf verkippten (4^∘) Si(100) Wafern beobachtet. Das Verhältnis der Intensitäten in den beiden parallelen ([110]||[110] und [110]||[110]) Polarisationskonfigurationen dieses Grenzflächenphonons ist mit dem Flächenverhältnis der (1x2)- zu (2x1)-rekonstruierten Anteile verknüpft. Dieses Grenzflächenphonon wird für die verkippten Wafer bis hin zu 2.5 ML Ge beobachtet. Dies bedeutet, da"s die Oberfläche bei dieser Schichtdicke nicht vollständig bedeckt ist. Für höhere Bedeckungen wird ein Peak bei 141 cm⁻¹ gefunden, welcher einem Sb-Ge Oberflächenphonon zugeordnet wird.