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Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.8: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:00–18:15, H36

Energetik und Kinetik von Si Dimeren auf Ge(100) — •W. Wulfhekel1,2, B.-J. Hattink1, H.J.W. Zandvliet1, G. Rosenfeld1 und Bene Poelsema11Faculty of Applied Physics and CMO, University of Twente, P.O.Box 217, NL-7500 AE Enschede — 2Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Wir haben mittels STM das Anfagsstadium des Wachstum von Si auf Ge(100) bei Raumtemperatur untersucht. Vier verschiedene Dimerkonfigurationen wurden beobachtet und mittels STM-Bildern beider Polarität identifiziert. Dimere, die zentriert auf den Dimerreihen des Substrats liegen, rotieren und diffundieren entlang der Dimerreihen bei Raumtemperatur. Dimere zwischen den Dimerreihen des Substrats lassen sich in zwei Klassen einteilen: Einzelne Dimere vom Typ D, die thermisch stabil sind, und metastabile Gruppen von Dimeren vom Typ C, die zu kleinen Inseln kollabieren können. Mittels Ausheilexperimenten und STM-Filmen wurde die Energetik und Dynamik der verschiedenen Konfigurationen untersucht und Diffusion von Dimeren entlang sowie senkrecht zu den Dimerreihen des Substrats gefunden. Abschätzungen für die einzelnen Diffusionsbarrieren werden gegeben.

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