Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.1: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:15–16:30, H36

Selbstorganisation des Wachstums von GaAs Quantendrähten in V-förmigen Gräben — •F. Große^1,2, R. Zimmermann¹, A. Kley² und M. Scheffler² — ¹Institut für Physik Humboldt Universität zu Berlin,=20 Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin — ²Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4–6, D-14195 = Berlin

Durch abwechselnde Abscheidung von GaAs (Draht) und Al_xGa_1−xAs = (Barriere) Substraten, in die V-förmige Gräben geätzt sind, lassen sich Stapel = von identischen Quantendrähten herstellen. Zum ersten Mal wird dieses selbstregulierte Wachstum und die im = Experiment beobachteten Effekte (halbmondförmiger Querschnitt, vertikaler = Quantengraben) erklärt. Dazu war es notwendig, ein neues Modell zu Beschreibung des Wachstums = von GaAs/AlAs-Heterostrukturen zu entwickeln, das die bisher vorliegenden kinetischen Monte Carlo = Simulationen auf zweierlei Weise=20 erweitert: Sowohl die unterschiedliche Kinetik der beiden Kationen (Ga, Al) als = auch=20 deren Realgitter (fcc-Struktur) wird explizit berücksichtigt. In = qualitativer Übereinstimmung=20 im Vergleich zum Experiment und zu Dichtefunktionalrechnungen erhält man eine höhere Mobilität von Ga verglichen mit Al und die = Mobilität beider Kationen ist auf der (111)-Fläche größer als auf der (001)-Fläche. Die sich = bei den Simulationen auf V-Gräben selbstregulierend einstellende Krümmung am Boden des V = verringert sich mit Erhöhung des Verhältnisses der Diffusivität der Atome zur = Depositionsrate.=20