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T: Teilchenphysik

T 609: Halbleiterdetektoren 5

T 609.5: Talk

Thursday, March 18, 1999, 17:30–17:45, TE12

DEPJFET Silizium-Pixel-Detektoren — •Wolfgang Neeser¹, Matthias Böcker², Peter Buchholz², Peter Fischer¹, Nikolas Hörnel³, Peter Klein², Mario Löcker¹, Gerhard Lutz³, Ingo Schäfer², Marcel Trimpl², Johannes Ulrici¹ und Norbert Wermes¹ — ¹Physikalisches Institut der Universität Bonn, Nußallee12, 53115 Bonn — ²Exp. Physik E Vb, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — ³MPI für Physik, Halbleiterlabor, Paul Gerhard Allee 42, 81245 München

Ein p-Kanal JFET auf vollständig depletiertem, hochohmigem Siliziumsubstrat wurde als Pixel-Detektorzelle getestet. In einem solchen DEPJFET werden Signalladungen unter dem Kanal des JFET akkumuliert und steuern den Transistor. Solche Strukturen zeichnen sich vor allem durch sehr kleine Detektorkapazitäten und interne Ladungsverstärkung aus, was zu einem hohem Signal-zu-Rausch-Verhältnis führt. Sowohl einzelne Pixel als auch eine Matrixanordnung wurden mittels Laser und radioaktiven Quellen getestet. Außerdem wird das für eine Matrixauslese benötigte System inklusive der entwickelten, integrierten Ausleseelektronik vorgestellt.