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T: Teilchenphysik

T 609: Halbleiterdetektoren 5

T 609.6: Talk

Thursday, March 18, 1999, 17:45–18:00, TE12

Erste Ergebnisse dynamischer Messungen an weiterentwickelten DEPFET-Detektoren — •Peter Klein¹, M. Böcker¹, P. Buchholz¹, I. Schäfer¹, M. Trimpl¹, J. Kemmer², G. Lutz², N. Hörnel², D. Stötter², L. Strüder², P. Fischer³, M. Löcker³, W. Neeser³, J. Ulrici³ und N. Wermes³ — ¹Institut für Physik, Uni Dortmund — ²MPI Halbleiterlabor München — ³Physikalisches Institut, Uni Bonn

Das DEPFET-Konzept basiert auf der Integration des Eingangstransistors der ersten Verstärkerstufe in den Detektor. Durch diese Vorgehensweise kann eine sehr kleine Verstärker-Eingangskapazität erzielt werden. Wie bereits in der Vergangenheit gezeigt werden konnte, fuehrt dies zu einer sehr guten Energieauflösung des Bauelementes (ENC=19e⁻ bei T=300 K). Im Rahmen einer Produktion von neuen DEPFET-Bildzellendetektoren für biologische Anwendungen wurden das Transistor-Layout und die Technologieparameter optimiert. Es werden dynamische Messungen präsentiert, die die spektroskopischen Eigenschaften des Detektors, insbesondere das optimierte Rauschverhalten, zeigen.