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Heidelberg 1999 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 609: Halbleiterdetektoren 5

T 609.6: Vortrag

Donnerstag, 18. März 1999, 17:45–18:00, TE12

Erste Ergebnisse dynamischer Messungen an weiterentwickelten DEPFET-Detektoren — •Peter Klein1, M. Böcker1, P. Buchholz1, I. Schäfer1, M. Trimpl1, J. Kemmer2, G. Lutz2, N. Hörnel2, D. Stötter2, L. Strüder2, P. Fischer3, M. Löcker3, W. Neeser3, J. Ulrici3 und N. Wermes31Institut für Physik, Uni Dortmund — 2MPI Halbleiterlabor München — 3Physikalisches Institut, Uni Bonn

Das DEPFET-Konzept basiert auf der Integration des Eingangstransistors der ersten Verstärkerstufe in den Detektor. Durch diese Vorgehensweise kann eine sehr kleine Verstärker-Eingangskapazität erzielt werden. Wie bereits in der Vergangenheit gezeigt werden konnte, fuehrt dies zu einer sehr guten Energieauflösung des Bauelementes (ENC=19e bei T=300 K). Im Rahmen einer Produktion von neuen DEPFET-Bildzellendetektoren für biologische Anwendungen wurden das Transistor-Layout und die Technologieparameter optimiert. Es werden dynamische Messungen präsentiert, die die spektroskopischen Eigenschaften des Detektors, insbesondere das optimierte Rauschverhalten, zeigen.

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