Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 4: Ionenimplantation IV

DS 4.4: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 16:15–16:30, PC 7

Tiefenselektive Phasenanalyse Si-ionenimplantierter α-Fe-Oberflächen mittels DCEMS — •M. Walterfang¹, S. Kruijer¹, W. Keune¹, M. Dobler² und H. Reuther² — ¹Laboratorium für Angewandte Physik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, D-47048 Duisburg — ²Forschungszentrum Rossendorf e.V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, 01314 Dresden

Si⁺-Ionen mit Energien von 50 keV und 100 keV wurden mit nominellen Dosen von jeweils 5 × 10¹⁷ cm⁻² bei RT in α-Fe-Oberflächen implantiert. Die Tiefenverteilung der verschiedenen metallischen Phasen wurde mittels tiefenselektiver Konversionselektronen-Mössbauerspektroskopie (DCEMS) untersucht. Direkt nach der Implantation zeigen die Spektren die α-Fe-Matrix, eine ungeordnete magnetische FeSi-Phase und eine ungeordnete nicht-magnetische FeSi-Phase, deren spektraler Anteil bei tieferen Temperaturen bis unterhalb von 10 K immer mehr abnimmt. Wir haben die Proben anschließend bei 300^∘C, 400^∘C und 500^∘C für jeweils eine Stunde getempert. Mit zunehmender Temperatur verminderte sich der Anteil der nicht-magnetischen Phase und es bildeten sich eine geordnete D0₃- und є-FeSi-Phase. Die nicht-magnetische Phase befindet sich in einer oberflächennahen Schicht, während die magnetische Phase in den tieferen Schichten vorliegt. Die Tiefenverteilung der einzelnen Phasen wurde quantitativ bestimmt und mit AES-Konzentrationsprofilen korreliert.
Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.