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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: GaN I

Monday, March 22, 1999, 10:30–13:30, H2

10:30 HL 3.1 Lattice Dynamics of Group III Nitride Semiconductor Compounds — •P. Pavone, M. Pabst, R. Plomer, S. Bruckmoser, and D. Strauch
10:45 HL 3.2 Si-Dotierung kubischer GaN Epitaxieschichten — •Donat Josef As, Jörg Busch, Martin Lübbers, Bernd Schöttker, Jürgen Mimkes, Detlef Schikora, Klaus Lischka, Willhelm Kriegseis und Bruno K. Meyer
11:00 HL 3.3 Molekularstrahlepitaxie von c-InxGa1-xN/GaN/GaAs(001)
Heterostrukturen mit variablem In-Gehalt.
— •Thomas Frey, Martin Bartels, Donat Josef As, Detlef Schikora und Klaus Lischka
11:15 HL 3.4 Bestimmung der Quasiteilchenbandstruktur und des Einflusses der Semi-Core Zustände in c-GaN mit dem SAPW-GWΓ-Verfahren — •Gregor-Martin Fehrenbach und Helmut Bross
11:30 HL 3.5 MBE-Wachstum von AlGaN/GaN Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren — •Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Andrea Mitchell, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann, Jörg Hilsenbeck und Walter Rieger
11:45 HL 3.6 Einfluß der Akzeptordotierung auf die Photoleitung von MBE-GaN — •Marco Lisker, Andre Krschil, Hartmut Witte, Jürgen Christen, Udo Birkle, Sven Einfeldt und Detlef Hommel
12:00 HL 3.7 AFM/STM Untersuchung von offenen Schraubenversetzungen und Substrateinflüssen auf MBE-gewachsenen AlN Schichten — •Marcel Rattunde und Dirk G. Ebling
12:15 HL 3.8 Surfactants und Diffusion auf GaN (0001) Oberflächen — •Tosja Zywietz
12:30 HL 3.9 Reflectance Difference Spectroscopy (RDS) Untersuchungen von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow, O. Ambacher, N.V. Edwards, D.E. Aspnes, J. A. Schaefer und M. Stutzmann
12:45 HL 3.10 Einfluß der MBE-Wachstumsparameter auf die Morphologie von AlN-Schichten — •Lars Steinke und Dirk G. Ebling
13:00 HL 3.11 AlGaN basierende Photoleiter als schmalbandige UV-Detektoren — •Armin Dobner, Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
13:15 HL 3.12 Auswirkungen der Polarität auf die elektrischen und strukturellen Eigenschaften von AlGaN/GaN Heterostrukturen — •Andrea Mitchell, Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
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