Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 36: Poster (II)
O 36.33: Poster
Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt
Auswirkungen von Elektronenbeschuß auf die Morphologie von CaF2-Oberflächen — •Robert Kayser, Andreas Klust und Joachim Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover
Für die Herstellung resonanter Tunnelbauelemente
ist es notwendig, Abfolgen von Isolator- und Metallschichten zu
erzeugen, die jeweils nur wenige Lagen dick sein dürfen. Aufgrund seiner
geringen Gitterfehlanpassung zu Si ist als Isolator CaF2 gut geeignet.
Wegen seiner geringen Oberflächenenergie wird CaF2 von Metallen
jedoch nicht benetzt, sondern es kommt zu 3D-Inselwachstum. Eine
Möglichkeit, eine stärkere Bindung zwischen Metall und CaF2 zu
erzielen, ist, die
oberste F-Schicht durch elektronenstimulierte Desorption (ESD) zu entfernen
und freie Ca-Bindungen zu erzeugen.
Im dargestellten Experiment wurden auf eine Si(111)-Oberfläche fünf
Tripellagen CaF2 aufgebracht. Diese Schicht wurde bei verschiedenen
Temperaturen mit Elektronen im Energiebereich 100-600 eV beschossen.
Die Auswirkungen des Elektronenstrahls auf die Morphologie der
CaF2-Oberfläche wurden mittels Rasterkraftmikroskopie analysiert. Es
zeigt sich, daß sich Ca-Cluster und Löcher bilden, deren Größe und
Anzahl von Energie und Dosis der Bestrahlung abhängen.