Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 11: In-situ-Charakterisierung III

DS 11.2: Fachvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 09:45–10:00, H31

Ein Wachstumsmodell für ITO-Schichten — •Dieter Mergel, G. Ehl und D. Barthel — AG Dünnschicht-Technologie, FB-Physik, Universität GH Essen, 45117 Essen

Auf ungeheizten Substraten abgeschiedene (In,Sn)(2)O(3)-Schichten haben unter gewissen Prozessbedingungen: - eine höhere Dichte, - eine größere Gitterkonstante, - einen höheren Sauerstoff-Gehalt als der entsprechende Kristall. Diese Befunde werden durch den Einbau von Sauerstoff-Atomen in die konstitutionellen Leerstellen der Bixbyit-Struktur erklärt.

Bei einer Wärmebehandlung relaxiert das Gitter, ohne dass der mittlere Sauerstoff-Gehalt der Schichten wesentlich reduziert wird. Wir vermuten, dass der Sauerstoff-Überschuss an vorhandenen Korngrenze kondensiert und auch neue Korngrenzen bildet. Das führt teilweise zu isolierten Körnern, so dass die mit Halleffekt bestimmte Ladungsträgerdichte kleiner ist als die optisch aus der Plasmawellenlänge bestimmte.

Die Konsequenzen für andere Abscheidungsbedingungen werden diskutiert.