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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

Mo, 09:30–10:15 H31 DS 1: Harte Schichten I (c-BN)
Mo, 10:15–10:45 H31 DS 2: Harte Schichten II (c-BN)
Mo, 11:00–12:15 H31 DS 3: Harte Schichten III (c-BN)
Mo, 14:00–14:45 H31 DS 4: Laserverfahren I
Mo, 14:45–15:15 H31 DS 5: Laserverfahren II
Mo, 15:30–16:15 H31 DS 6: Laserverfahren III
Mo, 16:30–17:15 H31 DS 7: Magnetische Schichten I
Mo, 17:15–18:00 H31 DS 8: Magnetische Schichten II
Mo, 09:30–10:45 H32 DS 9: In-situ-Charakterisierung I
Mo, 11:00–12:15 H32 DS 10: In-situ-Charakterisierung II
Di, 09:30–10:45 H31 DS 11: In-situ-Charakterisierung III
Di, 10:45–11:30 H31 DS 12: Sonstiges I
Di, 15:00–16:00 H31 DS 13: Nanostrukturen
Di, 16:15–17:00 H31 DS 14: Schichtcharakterisierung I
Di, 09:30–10:15 H32 DS 15: Plasma- und Ionentechniken I
Di, 10:30–11:15 H32 DS 16: Plasma- und Ionentechniken II
Di, 11:15–11:30 H32 DS 17: Plasma- und Ionentechniken III
Di, 15:00–15:45 H32 DS 18: Plasma- und Ionentechniken IV
Di, 15:45–16:15 H32 DS 19: Plasma- und Ionentechniken V
Di, 16:30–17:30 H32 DS 20: Plasma- und Ionentechniken VI
Mi, 14:00–14:45 H31 DS 21: Organische Schichten I
Mi, 14:45–15:15 H31 DS 22: Organische Schichten II
Mi, 15:30–16:45 H31 DS 23: Organische Schichten III
Mi, 17:00–18:00 H31 DS 24: Sonstiges II
Mi, 14:00–15:45 H32 DS 25: Metallische Schichten
Mi, 16:00–16:45 H32 DS 26: Optische Schichten I
Mi, 17:00–18:15 H32 DS 27: Optische Schichten II
Do, 09:30–10:15 H31 DS 28: Ionenimplantation I
Do, 10:15–10:45 H31 DS 29: Ionenimplantation II
Do, 11:00–12:00 H31 DS 30: Ionenimplantation III
Do, 14:00–15:30 H31 DS 31: Ionenimplantation IV
Do, 15:45–17:30 H31 DS 32: Ionenimplantation V
Do, 09:30–11:00 H32 DS 33: Schichtcharakterisierung II
Do, 11:15–12:00 H32 DS 34: Mechanische Eigenschaften
Do, 14:00–15:30 H32 DS 35: Harte Schichten IV
Do, 15:45–17:00 H32 DS 36: Harte Schichten V
Do, 17:15–18:00 H32 DS 37: Elektrische Eigenschaften
Di, 09:30–17:30 Poster B DS 38: Postersitzung
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