Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 16: Plasma- und Ionentechniken II

DS 16.1: Hauptvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 10:30–11:15, H32

Ionenstrahl-gestützte Deposition dünner Schichten — •Bernd Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Das Verfahren der ionengestützten Deposition von dünnen Schichten beruht auf der Schichtabscheidung unter gleichzeitiger Bestrahlung mit niederenergetischen Ionen. Im Ergebnis dieses Prozesses können Schichten und Schichtsysteme synthetisiert werden, die sich teilweise durch mechanische, elektrische und/oder optische Eigenschaften auszeichnen, für die ein hohes Anwendungspotential prognostiziert werden kann. In dem Vortrag werden unterschiedliche materialwissenschaftliche und physikalische Aspekte bei der Stickstoffionen-gestützten Deposition von Titan-, Bor-, Aluminium- und Galliumnitridschichten behandelt. An ausgewählten Beispielen wird der Einfluß der Depositions- und Bestrahlungsparameter u.a. auf das epitaktische Wachstum der Schichten, die Phasenbildung bzw. -transformation während der Schichtsynthese, die Entwicklung der mechanischen Spannungen in den Schichten, die Schichtsequenz und die Morphologie eingegangen. Unterschiedliche Verfahrensvarianten zur ionengestützten Deposition von Schichten und Kombinationen des Verfahrens der Ionenstrahl-gestützten Deposition mit beispielsweise der Laserablation oder der Molekularstrahl-Epitaxie werden vorgestellt.