Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 2: Harte Schichten II (c-BN)
DS 2.2: Fachvortrag
Montag, 27. März 2000, 10:30–10:45, H31
Untersuchungen zur direkten Nukleation von c-BN Filmen — •H. Feldermann1, K. Kudec1, C. Ronning1, H. Hofsäss1, Y.L. Huang2 und M. Seibt2 — 1Universität Göttingen, II. Phys. Institut, Bunsenstr. 7-9, D-37073 Göttingen — 2Universität Göttingen, IV. Phys. Institut, Bunsenstr. 13-15, D-37073 Göttingen
Dünne Schichten aus kubischem Bornitrid (c-BN) werden üblicherweise auf Siliziumsubstraten abgeschieden. Querschnittsaufnahmen solcher Schichten zeigen immer eine Lagenstruktur mit einer Zwischenschicht aus orientiertem hexagonalen Bornitrid (h-BN). Die h-BN-Zwischenschicht wird grundsätzlich vor der c-BN-Nukleation gebildet, und ihre (0002)-Ebenen stehen parallel zu den (111)-Ebenen des c-BN mit einer Gitter-anpassung von 2:3. Wir haben mit Hilfe von massenseparierter Ionenstrahldeposition (MSIBD) untersucht, ob es möglich ist, die kubische Phase direkt auf geeigneten kristallinen Substraten abzuscheiden. Die ausgewählten Substrate besitzen eine Gitterstruktur, die annähernd zu der vom c-BN passt, sowie eine hohe Bindungsionizität, die sie vor einer Amorphisierung durch den Ionenstrahl schützt. Die c-BN Schichten wurden mit Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und energiedispersiver Röntgenanalyse (EDX) untersucht. Die Ergebnisse können zu einem besserem Verständnis der Rolle des kompressiven Stresses und der Substrattemperatur beim c-BN Wachstum führen.