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DS: Dünne Schichten
DS 26: Optische Schichten I
DS 26.1: Invited Talk
Wednesday, March 29, 2000, 16:00–16:45, H32
Untersuchung optischer Eigenschaften von Halbleiterschichten mittels Verallgemeinerter Infrarot-Ellipsometrie — •Mathias Schubert1, Thomas E. Tiwald2 und John A. Woollam2 — 1Uni Leipzig, Fak. Physik, IEP II, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — 2University of Nebraska, CMOMR, Lincoln, NE, 68588, U.S.A.
Im langwelligen Spektralbereich bestimmen polare Gittermoden und freibewegliche Ladungstraeger die optischen Eigenschaften duenner Schichten. Mittels Verallgemeinerter Ellipsometrie (Generalized Ellipsometry) im infraroten Spektralbereich kann die Dispersion des Dielektrizitaetstensors duenner Schichten praezise bestimmt werden. Anhand der dielektrischen Funktionen koennen Eigenschaften freier Ladungstraeger, Dotierungs- und Verspannungseinfluesse, Komposition, Kristallorientierungs- sowie Mikrostruktureigenschaften in komplexen Heterostrukturen zerstoerungsfrei ermittelt werden. Die optische Anisotropie ueblicher Substratmaterialien wie Al−2O−3, TiO−2, und SiC wird ebenfalls bestimmt. Der Einfluss von Komposition, Verspannung und freien Ladungstraegern wird in Gruppe-III-Nitrid Heterostrukturen untersucht. Es werden Eigenschaften homoepitaktischer SiC-Schichten, heteroepitaktischer (Al,Ga,In)/(N,P,As) Uebergitter sowie der Ladunsgtraegerprofile ionenimplantierter Siliziumsubstrate untersucht. Der Zusammenhang von Mikrostruktur und optischen Eigenschaften wird am Beispiel magnetrongesputterter BN- sowie Tantaloxidschichten demonstriert.