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DS: Dünne Schichten

DS 3: Harte Schichten III (c-BN)

DS 3.1: Fachvortrag

Monday, March 27, 2000, 11:00–11:15, H31

Optimierung der Prozeßbedingungen zur Abscheidung von kubischem Bornitrid — •A. Neuffer, M. Hock, L. Ulrich, T. Fischer und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

Die plasmaaktivierte Abscheidung von kubischem Bornitrid (c-BN) auf großen Flächen erfordert, daß die Parameter des c-BN Prozeßfensters auf der gesamten Fläche konstant sind. Im einzelnen sind dies die Prozeßparameter: Borauftreffrate, Bor/Stickstoffverhältnis, Verhältnis Ionen-/Borauftreffrate, Ionenenergie und Substrattemperatur. In einer großvolumigen Beschichtungseinrichtung wurden im ersten Schritt die stark ortsabhängigen Parameter Borauftreffrate, Bor/Stickstoffverhältnis und Verhältnis Ionen-/Borauftreffrate in Abhängigkeit von den äußeren Parametern eingekoppelte Leistung, Gesamtdruck, Gaszusammensetzung, Substrattemperatur und Biasspannung (Größe, Signalform) untersucht. Im zweiten Schritt erfolgte eine Modellierungs-/Optimierungsprozedur, um die c-BN-Wachstumsbedingungen einzuhalten. Die in der Modellierung gefundenen Bereiche des c-BN-Wachstums bei annähernd konstanter Beschichtungsrate auf der Fläche konnten durch Messungen an Substraten bestätigt werden. Die Prozeßbedingungen werden durch IR-Reflexionsspektroskopie an einem Referenzsubstrat in situ kontrolliert bzw. gesteuert.