Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 3: Harte Schichten III (c-BN)

DS 3.3: Fachvortrag

Montag, 27. März 2000, 11:30–11:45, H31

Strukturuntersuchungen an BN-Schichten auf Glas — •Thomas Pfeifer, Ellen Weißmantel und Frank Richter — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Für viele Anwendungen sind neben den mechanischen auch die optischen Eigenschaften der kubischen und hexagonalen BN-Phase (c-BN bzw. h-BN) von großem Interesse. Dafür ist es notwendig, c-BN-Schichten auf Glas abzuscheiden. In der vorliegenden Arbeit sollen die dabei auftretenden strukturellen Unterschiede im Vergleich zur Abscheidung auf Silicium-Substraten untersucht werden. Die BN-Schichten wurden mittels HF-Magnetronsputtern eines h-BN-Targets auf dem Glas-Substrat abgeschieden. Dabei wurden sowohl die Substratbiasspannung als auch die Gaszusammensetzung variiert. Die Untersuchungen zur Struktur und Phasenbildung der BN-Schichten erfolgten mittels hochauflösender, energiegefilterter TEM, Elektronenbeugung, EELS und FTIR-Spektroskopie. Das spezielle Interesse galt hierbei der Änderung der Phasenzusammensetzung der BN-Schichten sowie der Kristallitgröße und -orientierung in Abhängigkeit von den Herstellungsparametern. Die Ergebnisse aus den EELS- und FTIR-Messungen belegen das Wachstum der kubischen Phase. Cross-section-TEM-Untersuchungen zeigen, daß sich, wie beim Silicium-Substrat, zuerst die h-BN-Phase mit einer (0002) Vorzugsorientierung aufbaut auf der die c-BN-Phase mit in (111) Richtung orientierten Kristalliten aufwächst.