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DS: Dünne Schichten
DS 30: Ionenimplantation III
DS 30.1: Fachvortrag
Thursday, March 30, 2000, 11:00–11:15, H31
Synthese von dünnen Metalloxidschichten mittels Sauerstoffionenimplantation — •C. Hammerl und B. Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86159 Augsburg
Die Ionenimplantation stellt ein ausgezeichnetes Verfahren für die Synthese von stabilen und metastabilen Verbindungen dar. Der Prozeß der Implantation untergliedert sich dabei aus Sicht der zunehmenden Fluenz in Stadien einer anfänglichen Festkörperlösung, hinführend zu einer Übersättigung mit anschließenden ersten Präzipitatbildungen. Diese Ausscheidungen wachsen dann unter Einfluß der weiteren Ionenbestrahlung und der Umgebungstemperatur weiter. Durch thermische Nachbehandlung kann weiterhin über den Prozeß der Ostwald–Reifung ein weiteres Wachstum stimuliert und durch Koaleszenz eine geschlossene Schicht der chemischen Verbindung aus dem Targetelement und dem eingeschossenen Element synthetisiert werden. Im Hinblick auf die Sauerstoffionenimplantation können somit vergrabene Oxidschichten in Metallen hergestellt werden. Dieser Beitrag beschäftigt sich mit der Sauerstoffionenimplantation in Metallen wie Molybdän und Titan mit typischen Energien von 180 keV und Fluenzen bis zu 1.5· 1018 O+/cm2. Die Targettemperaturen variierten zwischen Raumtemperatur und 600∘C. Die implantierten Proben wurden mittels Rutherfordrückstreuung hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung und mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Röntgendiffraktometrie auf ihre Struktur, Morphologie und Phasenzusammensetzung hin untersucht.