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DS: Dünne Schichten

DS 32: Ionenimplantation V

DS 32.4: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 16:30–16:45, H31

Optische Eigenschaften ionenimplantierter, nanokristalliner Si-Mikrostrukturen — •Johannes Heitmann¹, Jeff McCallum², Jan Meijer³ und Tilman Butz¹ — ¹Abteilung Nukleare Festkörperphysik, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — ²MARC, School of Physics, The University of Melbourne, Parkville, Victoria 3052, Australia — ³Experimentalphysik III, NB 3, Ruhr-Universität-Bochum, 44780 Bochum

Durch Ionenimplantation erzeugte optische Materialien und Strukturen werden wegen ihrer potentiellen Anwendbarkeit in der Optoelektronik immer stärker untersucht. Mit der am Schwerionenmikrostrahl der Ruhr-Universität-Bochum neuentwickelten Projektormethode wurden Si⁺-Ionen in SiO₂ implantiert. Dadurch konnten die bei der Synthese kleiner, hochdotierter Strukturen auftretende langen Bestrahlungsdauern und die Herstellung der für hochenergetische Ionen undurchdringbaren Masken umgangen werden. An den Si/SiO₂-Strukturen durchgeführte Mikro-Photolumineszenz-Messungen zeigen, daß mit dieser Methode Strukturen im Mikrometerbereich hergestellt wurden. Die optischen und morphologischen Eigenschaften dieser mikrostrukturierten Materialien werden mit denen der Materialien verglichen, die durch nicht strukturierende Implantation produziert wurden.